STW50N65DM2AG

功能描述:MOSFET N-CH 650V 28A

制造商:stmicroelectronics

系列:汽车级,AEC-Q101,MDmesh?

包装:管件

零件状态:有效

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):28A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):87 毫欧 @ 19A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):70nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3200pF @ 100V

功率 - 最大值:300W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-247-3

供应商器件封装:TO-247

标准包装:30

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